短短两年内，三星再次取得突破，开发出另一种新型通用闪存(UFS)。您将在未来的设备中看到更多的UFS4.0解决方案，它刚刚获得了JEDEC董事会的批准。

取自三星半导体的推特账号，三星表示，新的UFS4.0改进的性能和能效可以提供每通道高达23.2Gbps的速度。与UFS3.0相比，交付量提升一倍，适用于需要大数据处理负载的5G智能手机，以及AR和VR。

此外，UFS4.0可提供高达4,200MB/s的读取速度和高达2,800MB/s的连续写入速度。得益于三星自己先进的第7代V-NAND技术，它还能够提供每mA6.0MB/s的顺序读取速度。这比其前身提高了46%。

最后，UFS4.0将比UFS3.0更紧凑，尺寸仅为11x13x1mm，这将为设备提供更多空间。它甚至配备了最令人印象深刻的高达1TB的空间。三星将在2022年第三季度开始批量生产它，所以我想我们可以期待设备在今年年底之前具备这种功能。